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Samsung produce chips de 3 nanómetros: qué son y qué ventajas traen

Samsung logró este avance aplicando una arquitectura de procesadores conocida como GAA y una tecnología propietaria bautizada como MBCFET

Samsung Electronics, la división de la compañía surcoreana también dedicada a la industria de semiconductores, se ha convertido en la primera empresa en iniciar la producción de chips de 3 nanómetros, tecnología que promete considerables mejoras respecto a los actuales 5 nanómetros y que algunas de las firmas tecnológicas más importantes del mercado, como Apple, esperan incluir en sus futuros procesadores.

Por el momento, y según indica Reuters, Samsung se encuentra buscando nuevos clientes con el objetivo de competir contra TSMC, quien también tiene previsto iniciar la producción de chips de 3 nanómetros durante este 2022. Si bien todavía no se han desvelado nombres, todo apunta a que uno de los principales será la propia Samsung. Esta, recordemos, también fabrica móviles, ordenadores y otro tipo de dispositivos. Samsung, incluso, cuenta con sus propios chips para smartphones, los conocidos como Exynos, que actualmente funcionan en 4 nanómetros. Otros de los posibles clientes son compañías chinas dedicadas a la fabricación de productos electrónicos, aunque no se han especificado cuales.

Ahora bien, ¿qué ventajas tienen los chips de 3 nanómetros respecto a los ya estandarizados 5 nanómetros? Samsung asegura que esta tecnología promete hacer de los procesadores un componente mucho más potente y eficiente. En concreto, los chips de 3 nanómetros pueden mejorar el rendimiento en hasta un 23 por ciento frente a los de 5 nanómetros. También son capaces de reducir el consumo energético hasta en un 45  por ciento. La tecnología de 3 nanómetros, además, permite reducir el área del chip en un 16 por ciento.

Para lograr este importanve avance, la compañía aplicó el Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), una tecnología GAA (Gate-All-Around) fue implementa “por primera vez en la historia” y que, según la firma asiática, “desafía las limitaciones de rendimiento de FinFET”. Esta tecnología utiliza nanoplacas con canales más anchos en lugar de nanohilos con canales más estrechos. Esto, explican desde Samsung, permite un mayor rendimiento y eficiencia. Gracias a esta tecnología GAA de tres nanómetros, Samsung será capaz de modificar la anchura de los canales de la plancha para ajustar el consumo de energía y rendimiento según las necesidades de los clientes.

De esta manera, aumentaron ancho del canal y el número de lados. Tal y como vemos en la figura superior, la tecnología GAA usa nanohilos apilados unos encima de los otros. MBCFET (la tecnología propietaria de Samsung) es similar, pero en lugar de hilos usa nanoplacas más anchas. Eso permite que fluya una mayor cantidad de corriente en un transistor con similar área horizontal.

MBCFET tiene un menor voltaje de operación (el voltaje requerido para la operación de un transistor) y permite la personalización hasta cierto punto del diseño, pudiéndose aumentar o disminuir el ancho del canal. Una propuesta interesante, sin duda, que se implementará más adelante.

Imágenes por: CORTESIA